多国政府赶赴智能制造盛宴 云、网、端三主线掘金龙头企业（名单）

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企业具有仅90mV的起始过电势与界面增强的催化活性（电流密度为10mA/cm2的过电势为130mV）以及较持久的稳定性。名单极低的反应过电势可以归结为以下三点：（1）原位垂直生长的二维片状结构为OER提供更多的活性位点。

【图文导读】 图1不同基底上铁镍层状双氢氧化物纳米片合成示意图图2不同基底上铁镍双氢氧化物纳米片阵列形貌与结构表征(a-c)FeNiLDH纳米片生长于铁镍合金片、多国端铁片及镍片基底上的SEM图像(d)FeNiLDH纳米片生长于铁镍合金片、多国端铁片及镍片基底上的XRD表征(e-f)FeNiLDH纳米片生长于铁镍合金片、铁片及镍片基底上的HAADF-STEM及STEM-EDX图像图3不同基底上铁镍双氢氧化物纳米片阵列XPS表征(a-c)FeNiLDH纳米片生长于不同基底上的XPS全谱图(d-f)FeNiLDH纳米片生长于不同基底上的Fe元素的XPS谱图(g-i)FeNiLDH纳米片生长于不同基底上的Ni元素的XPS谱图图4催化剂的OER催化活性表征(a)催化剂OER性能的CV表征(b)在特定电势下催化剂质量活性（A/g）对比柱状图(c)在特定电势下催化剂的TOFtm对比柱状图(d)催化剂Tafel曲线图(e)催化剂Nyquist曲线图(f)催化剂在5V电压下的i-t测试曲线图5DFT模拟计算表征及OER催化过程示意图(a-b)OH在FeNiLDH、FeNiLDH与界面层的吸附位点示意图(c)FeNiLDH、FeNiLDH与界面层的OH吸附能对比图(d)FeNiLDH、FeNiLDH与界面层的稳定吸附位点Ni的d能带中心和d带密度对比图(e)OER在催化剂上的反应过程示意图【小结】该研究制备了原位垂直生长在不同金属基底箔片上的FeNiLDH纳米片阵列，并在FeNi合金基底上得到最佳OER性能催化剂。

经测试，政府智能制造主线在0.1M氢氧化钾电解液中，该催化剂具有仅90mV的极低的反应驱动过电势，高催化活性（电流密度为10mA/cm2的过电势为130mV）以及长久的稳定性。利用同步辐射技术来表征材料的缺陷，赶赴化学环境用于机理的研究已成为目前的研究热点。

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